美光示警，目前記憶體供貨「遠遠無法跟上客戶需求」，上調2026財年資本支出至200億美元，並傳出有意透過力積電銅鑼新廠閒置空間遷入機台生產。美光海內外大投資，引爆無塵室與機電工程需求激增，洋基工程、亞翔等協力廠跟著吃香喝辣，在手訂單及營運同步衝高。

洋基工程證實，已獲美系記憶體大廠逾200億元大單，為公司單一訂單最高金額，預計2027年上半年完工，並推升今年底在手訂單上看550億元新高，預期今年營收可望突破200億元，2026年續揚。

亞翔前11月營收672.38億元，年增9.5%，為同期新高，累計在手訂單高達2,084.9億元，創新高。亞翔董事長姚祖驤透露，主要受惠於半導體及公共工程兩大成長動能，今年營運審慎樂觀。

記憶體大缺貨、價格飆漲，記憶體大廠晟碟（SanDisk）先前傳出要找力積電合作後，業界最新消息指出，美光（Micron）也正與力積電談合作，形成「雙龍搶珠」態勢，也讓力積電在這波記憶體熱潮下，身價同步水漲船高。

美光與晟碟一樣，希望能在力積電已完工、仍可新增至少四、五萬片產能空間的銅鑼新廠，導入其技術與機台生產記憶體，在最短時間開出新產能。消息人士透露，美光與力積電已有至少三種合作模式討論中，「一切就等力積電點頭」。

對於相關消息，美光至昨（21）日截稿前尚無回應；力積電則說，確實與多家大廠洽談合作當中，但無法透露細節。

不過，美光上周已於財報會議預告追加記憶體投資與建立新產能的急迫性，並將2026財年資本支出將由原規劃的180億美元，上調至200億美元，執行長梅羅塔直言，目前記憶體供貨「遠遠無法跟上客戶需求」，短期內難以緩解，在可預見的未來，整個產業供應仍將明顯低於需求。對於數家關鍵客戶，美光目前僅能滿足約五成至三分之二的供貨量，對新產能需求殷切。

業界分析，新建一座晶圓廠，從動工、蓋無塵室、設備進場到量產，動輒需一至兩年以上，「遠水難救近火」。相較之下，力積電銅鑼新廠已完成廠房建設，且廠區設計原本即以記憶體製程為核心，無論在空間配置、管線規格或潔淨室條件上，都高度符合量產需求，成為少數可快速轉換、立即放量的「即戰力產能」。

據了解，力積電銅鑼新廠最大月產能可達4萬至5萬片，目前僅建置約8,000多片設備，換算裝機率僅約兩成，擴產彈性充裕。這樣「已蓋好、卻未將設備產能建置到最大」的晶圓廠，在當前記憶體供給極度吃緊下，對急需新產能的國際大廠而言，吸引力非常大，讓力積電銅鑼新廠成為當紅炸子雞。

消息人士透露，美光與力積電討論的合作模式至少有三種。第一種是「純代工」模式，即美光將既有后里廠的1x奈米世代設備遷入力積電銅鑼新廠生產，晶圓全數回銷美光，力積電僅認列代工收入。

第二種是「技轉加設備遷入」模式，力積電重新回歸記憶體產品公司角色，量產晶圓回銷技術母廠，在產品與技術上與原廠更深度綁定。

第三種是「分銷制」，可視為「模式一+模式二」的延伸版本，最大差異在於雙方談妥條件後，力積電產出的記憶體晶圓當中，可保留一定比重自行銷售。在記憶體價格狂飆的環境下，能直接認列產品毛利，被視為對力積電最有利的方案。

記憶體產業供需吃緊，美光缺貨狀況恐一路持續至2026年之後，業界看好相關設備與封裝供應鏈需求同步升溫，台系半導體設備廠在先進封裝與後段測試領域的布局開始收割成果，其中，博磊、印能等營運動能可望隨產業擴產潮明顯增強。

業界分析，AI伺服器大量採用HBM（高頻寬記憶體）與高容量記憶體，使封裝型態由傳統平面結構，快速轉向3D堆疊與高密度封裝，製程複雜度與良率要求大幅提升，設備需求已不再僅是「量的增加」，而是朝向高精度、高穩定度與高度客製化發展，成為設備廠切入高附加價值市場的關鍵契機。

在後段封裝測試設備方面，博磊近年持續深化切割、植球與測試介面布局，產品涵蓋晶圓與基板切割機、IC封裝植球機及各式測試治具與介面板。法人指出，隨高階記憶體封裝對切割精度、植球品質及測試穩定性要求提高，博磊在客製化能力帶動下，有機會隨記憶體與AI晶片封裝需求擴大，推升設備與測試產品出貨。

印能科技近年深耕壓力烤箱與自動化解決方案，已成功切入HBM製程供應鏈。業界分析，HBM製程對氣泡、翹曲與散熱控制極為敏感，相關設備不僅需具備高精度，更須能與記憶體廠自動化系統無縫整合，以確保良率與量產穩定度。

AI應用需求持續強勁，美國最大記憶體晶片製造商美光（Micron）最新公布上季財報與本季財測雙雙優於預期，並釋出高頻寬記憶體（HBM）供應吃緊、AI記憶體需求延續至2026年之後的正向展望，激勵股價勁揚，帶旺台股記憶體族群表現，法人看好，南亞科、華邦電、威剛等後市營運動能可期。

美光指出，隨資料中心運算能力持續提升，AI伺服器對高效能、高容量記憶體與儲存的需求快速放大，不僅推升DRAM與NAND位元需求，也使高階產品供應持續吃緊。美光18日早盤股價暴漲17%。美光執行長梅羅塔直言，產業整體供應仍遠低於需求，相關緊俏態勢預期將延續至2026年之後，且明年HBM供應量已全數完成價格與出貨量協議，顯示AI記憶體需求緊俏。

在財務表現方面，美光截至11月底的年度第1季營收年增逾五成，獲利更大幅成長；展望本季，營收、毛利率與每股盈餘預測皆遠優於華爾街預期，反映AI與雲端資料中心需求已成為推升記憶體產業的新主軸。美光同時上修今年DRAM與NAND位元需求成長預估，並提高資本支出以因應長線需求，進一步鞏固市場對記憶體景氣復甦的信心。

在美光利多激勵下，台系記憶體族群同步受到資金關注。以南亞科來說，因應需求熱度，已陸續將部分產能轉回DDR4，市場預期本季漲勢仍有雙位數百分比。對於價格走勢，公司認為漲幅應在明年第2季後收斂，不過，若價格能維持在明年第1季的高檔，對全年營運相當有利。

華邦電部分，因應AI帶動記憶體出現結構性缺貨，今年10月間董事會已大幅上修資本支出至新台幣355.09億元，較年初的53億元增加近5.7倍，將用於擴充高雄廠產能及相關設備投資，以增加DRAM、NOR Flash等產品產出，預計2026年第3季後陸續顯現效益。

整體來看，隨AI應用持續推升伺服器與資料中心建置動能，記憶體已不再僅是循環反彈題材，而是進入結構性需求升級階段，法人普遍預期，在國際龍頭明確定調供需吃緊下，台系記憶體族群營運後市仍具想像空間。

昨天記憶體族群表現亮眼，南亞科終場上漲5.5元至170元、漲幅3.34%；華邦電一度衝上77.8元，改寫逾20年新高價，終場小漲0.6元至74.5元。

美國記憶體大廠美光端出「史上最強」的財報與財測，第一季營收136.4億美元、非GAAP每股盈餘（EPS）4.78美元，雙雙大幅超越華爾街原先預估的129.5億美元與3.9～4美元水準。法人指出，在高頻寬記憶體（HBM）與高階DRAM全面吃緊的背景下，台系記憶體供應鏈包括威剛、華邦電及群聯等亦開始感受到需求外溢效應，但整體產業焦點仍集中於美光對全球記憶體市場的定錨角色。

在DDR4供給收縮、價格走揚帶動下，華邦電、南亞科營運表現轉佳；模組與通路端的威剛、創見、群聯、十銓等，也隨庫存差價與產品組合升級，獲利動能轉強，整體產業進入結構性成長階段。

　展望第二季，美光預測營收中位數上看187億美元，非GAAP EPS達8.19～8.42美元，幾乎是市場原估值的兩倍，毛利率更上看67％，顯示AI伺服器對記憶體的需求強度遠超預期。

美光執行長梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）在法說會中直言，AI帶動的記憶體需求正以史無前例的速度爆發，高頻寬記憶體（HBM）供應全面吃緊，2026年全年產能已全數售罄，且供不應求狀況將延續至2026年之後。他更直言：「最好的日子還在後頭」（The best is yet to come），並透露公司已就2026年HBM的價格與供貨數量，與客戶達成具體協議，全年產能可說是「一顆不剩」。

梅洛特拉強調，目前記憶體產業面臨的並非短期景氣循環，而是「結構性短缺」。

美光亦宣布上調資本支出計畫，將2026財年資本支出由原先的180億美元提高至約200億美元，投資重點聚焦HBM產能與1-gamma DRAM先進製程量產。

　同時，美光也加速全球製造佈局，美國愛達荷州新晶圓廠將提前於2027年中期投產，紐約州新廠預計於2026年初動工，2030年後提供產能支援，日本、新加坡與印度的製造與封裝測試產能亦將同步擴建。

　隨著DRAM與HBM持續被AI需求吞噬，市場目光也開始轉向NAND。業界普遍認為，在控產與去庫存告一段落之後，AI伺服器對企業級SSD與QLC NAND的需求升溫，NAND有機會在明年第一季補漲。

美國商務部長盧特尼克3日接受CNBC訪問時表示，台灣肯定會幫美國訓練勞工，美國期待台灣在貿易談判中做出大型投資承諾，他暗示希望的數字可能超過3,000億美元。

針對台、美貿易談判，盧特尼克指出，「我不能透露談判進度，因為還在磋商階段」，「政府的目標是將半導體製造業帶回美國」。

行政院發言人李慧芝昨（4）日表示，台美並未針對「訓練美國技術勞工」交換意見，但是企業跨國設廠、在地訓練勞工十分自然；另外對美投資金額，政府至今三緘其口，據了解，談判細節仍在進行，金額尚未議定。

盧特尼克說，「台積電已經宣布在亞利桑那州追加投資1,000億美元，整體規模達到1,650億美元。美光也投資更多。德州儀器也加碼投資。所以，美國目前已經取得多達3,000億美元的投資承諾」，「我認為，當我們與台灣達成協議，這個數字（台灣投資規模）會更高」。

他並表示，台灣當然會訓練美國勞工，「（政府的）整個目標就是把供應鏈帶回美國，在美國生產半導體，在美國生產藥品，並訓練美國人來做這些工作，然後在美國本土打造供應鏈。這就是全部的目的」。

盧特尼克沒有說明台積電的投資計畫，是否已計入美方希望台灣承諾的投資總額。台積電做為全球最先進的晶片製造商，先前已承諾將繼續擴大在美國的生產布局。

盧特尼克這番發言，等於證實路透先前對台美關稅談判的報導，指內容可能包括台灣加碼投資美國及協助訓練美國晶片人才等。該報導也引述知情人士指出，在最終敲定談判結果前，任何協議條款都可能出現變化。

當盧特尼克被問及明年與機器人與人工智慧相關的布局時，他回答，美國將結合機器人與邊緣運算等技術，把先進製造帶回美國。他說，美國沒有數百萬人做些鎖螺絲的工作，但在接受訓練後，可以有3,000至5,000人投入先進製造領域，而這些工作薪資相當優渥。

他說，美國的先進製造，將聚焦於機器人、無人機製造、晶片製造、藥品生產等領域。

另外，美國財政部長貝森特3日稍早指出，美國與台灣關係「保持不變」。他被問到華府是否會保衛台灣免受中國大陸入侵時，他表示：「我不回答假設性問題。」

再被追問美國將晶片生產遷回本土的行動，是否會讓華府降低保衛台灣的意願時，他說，「這是一個有缺陷的問題。因為當你在降低風險時，並不意味著你改變了其他任何事情」。

美光「Crucial」品牌產品將在2026年2月後全面退市，台灣模組廠可望擴大市占，但其代理商青雲反而受害，日後將終止代理美光Crucial品牌產品，無法分食明年記憶體價量齊揚紅利。

青雲是美光及美光旗下品牌Crucial記憶體與固態硬碟（SSD）產品代理商，通吃主機板、記憶體商機。根據青雲網站揭露的產品資料，其代理五款美光DRAM模組產品，企業用包括DDR5 RDIMM、DDR4 RDIMM 、DDR4 LRDIMM 、DDR4 ECC SODIMM 、DDR4 ECC UDIMM等五款。

另包括六款Crucial品牌記憶體模組，包括Crucial DDR5 PRO 超頻版電競記憶體、Crucial DDR5 PRO 電競記憶體、Crucial DDR5 CUDIMM & CSODIMM 記憶體、Crucial DDR5 桌上型和筆電記憶體、Crucial DDR4 PRO 桌上型電腦記憶體、Crucial DDR4 桌上型和筆電記憶體等。

美國記憶體大廠美光昨（4）日拋出震撼彈，宣布將全面退出消費性記憶體品牌業務，旗下主攻一般消費者市場的「Crucial」品牌，包括DRAM與固態硬碟（SSD）等產品，將在2026年2月後退出市場，未來該公司將專攻AI資料中心等企業級先進記憶體市場。

美光「Crucial」品牌目前在全球記憶體品牌排名第八，業界認為，美光退出消費性市場，凸顯當下AI引爆的記憶體需求超級熱，美光無法兼顧消費性市場，其既有的記憶體模組市占將被威剛、宇瞻、十銓、創見等台廠瓜分，進一步擴大台灣記憶體模組廠在全球的勢力。

法人分析，模組廠過去受到原廠「又當玩家、又當供應商」影響，品牌擴張受到壓力，美光完全退出後，台灣模組廠將不必再與美光在歐美零售市場正面競爭，反而能獲得更多OEM、電商、市售品牌合作機會，零售通路的貨架空出來，就是台廠的成長空間。

美光主管業務長薩達納（Sumit Sadana）表示，AI帶動資料中心成長，促使記憶體與儲存需求激增，在AI伺服器搭載記憶體量是筆電十至15倍的結構下，高頻寬、高容量、高複雜度的HBM、企業級DRAM、企業級固態硬碟，已成為記憶體市場獲利最佳、成長最快的黃金區塊。

美光因而決定全面退出消費性記憶體品牌業務，旗下主攻一般消費者市場的「Crucial」品牌，包括DRAM與固態硬碟等產品，將在2026年2月後退出市場。法人指出，美光此舉並非撤退，而是選擇「只做高利潤、成長快的」，等於直接承認AI需求強度超乎預期，消費性市場不再值得分心。

在這波結構性變革中，美光退出Crucial反而成為台廠的大利多。美光聚焦HBM與企業級DRAM，等於在DDR4、DDR5等主流消費端DRAM上減少供給，台廠模組廠的採購壓力減輕，「價格彈性」更大，法人預期 DDR4、DDR5 價格可望持續墊高，在DRAM一年來大漲 392%、半年漲逾280%的環境下，供應端再度收縮，對模組廠的毛利改善更具想像空間。

記憶體市場「漲」聲不斷，繼美光上周傳出暫停報價並預告全面調漲價格後，市場最新傳出，南韓記憶體巨頭三星近期也通知客戶，要調升第4季部份DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）報價，其中DRAM合約價漲幅最高上看三成，NAND相關產品則要漲5%至10%。

相關漲價消息並未獲三星證實，惟周末期間已在各大網路投資論壇引起熱議。法人指出，美光先前的漲價消息已讓市場對記憶體景氣谷底翻揚走勢吞下定心丸，激勵群聯、華邦、南亞科、威剛、十銓、宇瞻等股價大漲，一旦三星跟進漲價，為記憶體後市增添更多柴火，進一步帶旺相關台廠。

消息指出，三星陸續通知客戶，下季LPDDR4X、LPDDR5╱5X等DRAM產品合約價將調漲15%至30%，NAND相關產品（包括eMMC╱UFS等）價格則要漲5%至10%。業界密切關注美光、三星等大咖陸續宣布調升報價後，業界趕在新價格上路前的掃貨與追漲效應。

研調機構集邦科技預期，第4季DRAM與NAND Flash價格可望持續上漲。DRAM當中，DDR4因供給減少，價格飆漲，市場估計第3季供需缺口約3%，預期缺口可能擴大，並缺貨到明年第4季。

NAND Flash方面，集邦指出，基於AI海量資料存儲建置，硬碟缺貨加上超長交期，目前大量訂單轉向企業級固態硬碟，造成NAND Flash短缺，供應商醞釀第4季漲價，預估漲幅5%至10%。

業界觀察，美光先前率先凍結對外報價，並且預計調高產品售價，顯示原廠對未來供貨吃緊有共識，價格話語權回到供給端，整體全球記憶體市況逐步轉佳。

威剛董事長陳立白先前指出，第3季不論是DDR4或DDR5，客戶訂單能見度持續樂觀；另一方面，目前NAND Flash原廠產出仍相當自律，需求面不僅資料中心需求火熱，消費性電子產品新品上市對儲存需求也不斷攀升，NAND Flash市況可望保持穩健走升格局。

群聯執行長潘健成則認為，隨著雲端大咖與企業投入上千億美元建置GPU，龐大的運算能量背後伴隨的是海量數據儲存需求，估「明年Flash一定會缺貨」。

外資對台股集中市場從上周五買超265億元，15日買超縮減至25億 餘元，不過，外資仍持續布局之前調節股，對南亞科（2408）及台玻 （1802）等14檔上市股積極加碼，尤其大敲南亞科近3.7萬張，力拱 股價攻上漲停63.1元。

　　外資寫下連十日買超台股，累計加碼約2,173億元，然而外資15日 對台股買超驟減至25億餘元，顯示當前對台股操作偏保守，不過，外 資仍對特定個股翻多，隨著股市來到25,000點高檔，且指數開始出現 高檔震盪，隨時都有拉回的壓力下，外資此時翻多敲進的個股值得留 意。據統計，上周五之前，外資站在賣超或連續賣超，但15日翻多加 碼1,200張以上有14檔上市股，包括南亞科、台玻、聯電、尖點、定 穎投控、精成科、臻鼎-KY、毅嘉、雷虎、鉅祥、廣宇、為升、日月 光投控、華晶科等。從上述外資回頭敲進千張個股中來看，多集中電 子股，就產業來看，以PCB族群居最大宗，另也加碼半導體股及軍工 概念股等。

　　美光報價傳出上漲，帶動台廠記憶體南亞科股價衝上漲停，創下逾 一年來新高，外資大敲近3.7萬張居最重要功臣，合計三大法人也狂 敲41,486張。

　　台新投顧表示，記憶體產業受惠三大原廠策略性減產，DRAM和NAN D Flash價格皆止跌回穩，預期下半年整體上行趨勢明確，看好相關 概念股。

　　外資上周賣超台玻5.45萬張，居單周賣超最多的個股，但15日再度 回頭加碼超過1萬張，台玻為PCB上游，從外資加碼多檔PCB股來看， 隨著PCB近日拉回後，外資買盤又開始轉進跌深的PCB股。

　　全球記憶體市場再度吹起漲價號角。繼SanDisk上周率先調漲NAND Flash報價10％後，美光隨即向客戶發出通知，宣布自12日起全面暫 停報價一周，涵蓋DRAM與NAND全線產品，並暫停與OEM、ODM客戶洽談 長約。

　　美光暫停所有即時報價，並取消已簽訂協議價格，預估一周內重新 開出新價單。市場人士解讀，美光此次漲價，並非例行調整，而是對 供需失衡的急迫反應。

　　多家供應鏈與通路商證實，美光已提前釋出漲價訊號，預告DDR4、 DDR5、LPDDR4、LPDDR5等DRAM產品將全面調漲20％至30％，其中，車 用及部分工業級產品漲幅更傳高達70％。

　　市場法人指出，這不僅意味著DRAM價格持續走強，也顯示漲勢將外 溢至NAND Flash。

　　業界人士透露，美光管理階層近期檢視客戶需求後，判斷未來數月 恐面臨明顯缺貨。

　　原因有四：一是全球資料中心建置加速，帶動高效能伺服器對大容 量記憶體的急速需求，客戶紛紛拉貨，帶動記憶體出貨大增。其次， 車用電子需求轉趨強勁，電動車、ADAS等高階車電系統持續擴增，用 量遠超原本預期。

　　第三是產能結構改變，韓系記憶體大廠三星、SK海力士，積極將產 能轉向HBM（高頻寬記憶體），使傳統DRAM與NAND供應更形吃緊。四 是庫存下探，過去幾季的去庫存使下游模組廠與品牌廠安全庫存降至 不到一個月，需求稍有增加，便造成供給缺口。

　　美光將於9月23日公布財報，目前正值緘默期，僅低調表示「不對 市場傳言回應」。不過，法人認為，SanDisk及美光的漲價動作，形 同正式啟動新一輪漲價周期。

台水公司與成立已45年全球500大企業的美光科技（Micron）展開公私協力合作，共同推動水資源永續治理，12日舉行捐贈協議書簽署記者會，由董事長李嘉榮率領台水公司團隊，與美光全球環安衛及永續副總裁Elizabeth Elroy、台灣美光前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬共同出席，並在經濟部副司長劉起孝及臺中市政府副秘書長林育鴻的共同見證下，公開簽署合作協議，展現企業社會責任與公共價值兼具的合作典範。

李嘉榮表示，美光科技長期承諾其水資源復育與環境永續目標，此次美光科技捐贈新台幣4,710萬元，支持台水公司所辦理的「台中市自來水管線汰換工程計畫」，並於臺中市崇德北興地區率先啟動老舊管線更新作業，減少水資源流失，保障民生用水安全，同步推動供水系統韌性建設與水資源循環利用。有效降低漏水率，提升供水品質與穩定性。

鍾聯彬表示，台灣美光肩負著全球供應鏈的關鍵角色，在面對極端氣候與水資源挑戰日益嚴峻情況下，台灣的永續發展不僅關乎美光的營運，更影響社會韌性與未來世代的福祉。唯有在地深耕，與社群共好，才能真正實踐企業的永續承諾。

台水公司表示，美光科技為此次「降低漏水率計畫」首位民間捐贈企業，此次合作象徵政府與企業攜手守護台灣珍貴水資源的重大里程碑。期盼藉由此次公私合作新典範，引領更多民間資源投入水資源改善工程，擴大社會參與，共創永續未來。

　　台灣自來水公司12日宣布與美光（Micron）科技展開公私協力合作 ，共同推動水資源永續治理，美光將捐贈4,710萬元，支持台水所辦 理的「台中市自來水管線汰換工程計畫」，並於崇德北興降漏專案地 區，率先啟動老舊管線更新作業，以有效降低漏水率，提升供水品質 與穩定性。

　　美光成為台水「降低漏水率計畫」首位民間捐贈企業，此次合作象 徵政府與企業攜手守護台灣珍貴水資源的重大里程碑。

　　美光全球環安衛及永續副總裁Elizabeth Elroy，及台灣美光公司 前段晶圓製造暨營運副總裁鍾聯彬共同出席簽署合作協議。

　　鍾聯彬強調，美光台中啟動全新的水復育專案，與台水共同進行自 來水管線修復及汰換工程，預估至少可減漏每年130萬噸以上的自來 水，未來也大幅度減少該地區因漏水，需進行路挖檢修而影響交通， 讓當地居民擁有更優質的生活環境，展現美光企業社會責任，深耕台 中的承諾。

　　鍾聯彬透露，台中是美光在台最大的生產基地，公司目標就是開源 節流，開源就像12日雙方簽訂計畫，另節流部分，就是公司在自己廠 區及製程優化，含一滴水循環三次使用，才排放，絕不浪費；另公司 也一直在追求永續、碳足跡及廢棄物處理等成果。

　　鍾聯彬說，公司廠房設施仍持續改進，可提升水資源的循環再利用 ，未來會利用AI與大數據持續努力，美光專精在記憶體，而AI都是靠 記憶體，公司也運用AI改善公司營運計畫。

　　台灣美光除在營運與製程上節水，更持續透過公私協力的方式，與 政府部門及相關單位合作，復育台灣水資源，過去在石門水庫、南崁 溪，及東門溪等地，皆有具體成果。

　　台水董事長李嘉榮說，降低漏水率計畫從2004、2005年開始，但真 正投資計畫經費較多，是從2013至2024年，為期12年的降漏計畫稱為 第一期降漏計畫，投入將近1,000億元，從原本全國平均漏水率19.5 5％，大幅降至2024年11.99％。

　　第二階階段2025年開始，台水新的降低漏水率計畫是8年要投資80 0億元，預計至2032年漏水率還要降至9.77％。

隨著AI應用從「訓練」向「推理」及邊緣設備延伸，帶動大容量記憶體需求持續升溫，導致記憶體供應吃緊。業界傳出，全球第三大記憶體製造商美光將暫停對通路商及OEM╱ODM廠報價，後續價格可能調漲20%-30%，外界看好，台廠南亞科、華邦電等營運有望同步上揚。

繼上周SanDisk將NAND報價上調10%後，供應鏈透露，美光已通知客戶，包括DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等記憶體產品全部停止報價，規劃停止報價一周，且相關產品價格可能調漲20%-30%。

據了解，此次涉及的不僅是消費級與工業級記憶體產品，汽車電子產品漲幅更高，預計達70%。供應鏈表示，美光高層觀察到客戶的 FCST（需求預測）顯示重大的供應短缺，因此緊急暫停所有產品報價，將重新調整後續價格。

業界說明，美光的動作反映在推論型AI服務快速興起的背景下，大容量儲存產品正出現結構性變化，且在全球雲端服務供應商（CSP）營收屢創新高，Google、Oracle等科技巨頭積極擴建AI基礎設施，並轉向高效能的推論應用，帶動市場對大容量儲存產品的需求大幅成長。

業界強調，目前大容量HDD的交期幾乎已排到一年後，也因此記憶體業者積極醞釀Nearline SSD產品的開發，希望能將其與HDD的價差，從目前的四至五倍壓縮到三倍左右，以提升客戶導入意願。

法人認為，在三星、SK海力士、美光將產能集中到DDR5和HBM，DDR4線逐步退場，需求卻沒有馬上消失，因為包括低價手機、機上盒、車用、工控仍需要DDR4，在價量齊揚下，台廠南亞科、華邦電正好逆勢補位。

業界透露，南亞科在受惠DDR4市場供給持續吃緊，第3季合約價傳出季增達七成，第4季再漲五成，華邦電第3季合約價也上漲六成，第4季則以第2季低點計算漲幅達八至九成，雖然現貨市場自第2季大漲後趨於穩定，但合約價仍維持攀升動能，而南亞科在DDR4市場的稀缺地位，將為其後續營運改善的契機。

以近期營運來看，南亞科8月營收67.63億元，月增26%、年增1.41倍，改寫43個月新高；累計今年前八月營收298.29億元，年增近兩成。公司預期，第3季產品價格與銷量同步成長，有信心毛利率轉正。

　TrendForce表示，2025年第二季DRAM產業因一般型DRAM合約價上漲 、出貨量顯著增長，加上高頻寬記憶體（HBM）出貨規模擴張，整體 營收為316.3億美元，季成長17.1％。

　　平均銷售單價（ASP）隨著PC OEM、智慧手機、CSP業者的採購動能 增溫，加速DRAM原廠庫存去化，多數產品的合約價也因此止跌翻漲。

　　觀察主要供應商第二季營收表現，SK海力士位元出貨量優於目標計 劃，但因相對低價的DDR4出貨比重提升，抑制整體ASP成長幅度，營 收接近122.3億美元，季增達25.8％，市占上升至38.7％，蟬聯第一 名。

　　排名第二的三星，第二季在售價、位元出貨量皆小幅增加的情況下 ，營收成長13.7％，達103.5億美元，市占微幅下滑至32.7％。

　　美光的出貨量明顯季增，ASP則因DDR4出貨比重增加而季減，營收 為69.5億美元，季增5.7％，市占下降至22％，排名第三。

　　台系廠商第二季營收皆大幅成長，主因是其成熟製程產品逐步銜接 上前三大業者轉換製程後無法滿足的市場。

　　其中，南亞科得益於PC OEM和消費型大客戶積極補貨，第二季出貨 量大幅季增，與ASP下跌的效應抵銷後，營收仍強勁成長56％，上升 至3.4億美元左右。

　　華邦電出貨量也明顯季增，在ASP持平的情況下，第二季營收季增 24.9％，來到1.8億美元。

　　力積電的營收計算主要是自身生產的消費型DRAM產品，不包含DRA M代工業務，在客戶積極補貨下，其營收季增達86.4％，成長至2,00 0萬美元。

　　若加計代工部分，因客戶採購動能回溫，力積電營收季減2.9％。

　　受惠於人工智慧（AI）帶動的高階記憶體需求持續火熱，美光宣布 上調2025會計年度第四季（2025年6月至8月）財測，預估營收將達1 11億至113億美元，季增19.34％至21.49％，優於原先預估的104億至 110億美元。毛利率預計達44％至45％，高於原先的41％至43％；每 股稅後純益（EPS）上看2.78至2.92美元，顯示獲利動能同步強化。

　　法人指出，台系記憶體上游廠商如南亞科、華邦電等，未切入高頻 寬記憶體（HBM）市場，但受惠先前DDR4現貨報價上漲，將推升第三 季營運，12日包括新上市凌航、南亞科、宇瞻、華邦電等記憶體族群 ，股價漲逾6％。

　　美光指出，AI驅動的資料中心產品需求強於預期，加上新產品推出 、單機記憶體容量提升，以及客戶庫存持續回補，帶動下半年位元出 貨量將高於上半年。

　　雖然PC與智慧型手機短期需求偏弱，但在DRAM與NAND Flash價格回 升支撐下，美光樂觀看待2025年整體營運，並透露AI應用所需的高頻 寬記憶體（HBM）訂單，至2025年底已全數售罄，高階SSD供應同樣吃 緊。

　　另據陸媒消息指出，美光將對中國大陸區進行業務調整，主要原因 是，行動NAND產品市場持續疲軟，且相較其他NAND領域成長放緩，美 光因而決定在全球範圍內停止未來行動NAND產品的開發，包括終止U FS 5（第五代通用快閃記憶體）的研發。

　　此一決策僅影響全球行動NAND產品開發，美光將持續開發並支持S SD、汽車及其他終端市場的NAND解決方案，並繼續在全球推進行動D RAM業務，提供業界領先的DRAM產品組合。

　　據悉，美光的NAND行動業務（UFS、eMMC）已多年虧損，加上NAND 需求重心逐漸轉向資料中心領域，該公司因而決定不再自行開發UFS 與eMMC產品，而是專注銷售NAND顆粒給模組廠，由其製作UFS與eMMC 成品。

　群創今年再關兩座廠！近期內部召開廠長會議，宣布將關閉南科五 廠，該廠以IT、醫療應用等面板為主，未來將轉到竹南T2和南科三廠 生產，另外二廠的睿生光電X光感測面板也將轉到三廠生產，二廠也 會關閉。

　　對此，群創表示，公司持續因應市場調整產能結構，計劃將南科五 廠的產能整併至其他工廠，為配合市場變化與非面板業務比重提升、 持續聚焦資源於具長期成長潛力之應用場域所做的安排，將有助於提 升產能配置效益與整體營運彈性。

　　相關規劃皆已經審慎評估，並以不影響客戶需求為前提，協助客戶 完成生產分流與重新認證作業，確保訂單供應不中斷、服務品質穩定 。相關工廠的後續處置，亦將以公司長期發展為優先考量，綜合評估 整體產能布局，並兼顧包括員工在內之各方利害關係人權益進行安排 。如有進一步具體規劃，將依相關程序正式對外公告。

　　群創9日於內部召開廠長會議，宣布將逐步關閉旗下的五廠（5代廠 ），並且把筆電面板、監視器面板和醫療用面板陸續轉往竹南T2廠（ 6代廠）和南科三廠生產，計劃最晚在2026年中之前完全遷出。由於 生產線移轉，近期已陸續通知宏碁、華碩、戴爾、惠普等IT面板大客 戶，安排產品重新在T2廠認證。

　　此外，目前睿生光電的X光感測器都在南科二廠生產，未來五廠的 醫療用面板、以及X光感測器都會全數轉往三廠生產，接下來也會陸 續安排在三廠重新認證。南科的五廠、二廠、以及在竹南的T1都將陸 續停產成為下一波出售標的。

　　台積電2024年買下群創南科四廠後，又傳台積電有意再買下五廠， 不過在擴大投資美國之後，在台灣購地買廠已經沒有急迫性，因此台 積電近期已沒有在台灣買廠的規劃。

　　而美光也因為買下友達位在台南的兩座廠房，並且在下半年開始裝 機，計劃先把已經購入的新廠安置好，等後續美國關稅政策比較清楚 之後，再評估後續建廠的規劃。先前包括聯電、日月光、南茂都傳出 有意在南科買廠擴產，後續群創賣廠的動向也備受矚目。

　美光科技1日宣布，推出美光2600 NVMe SSD，這款新產品，是專為 OEM設計的主流用戶端儲存解決方案。

　　SSD對於提升PC和用戶端裝置的使用者體驗與系統效能至關重要。 美光2600 SSD重新定義日常運算體驗，顯著提升常用應用程式的工作 效率。

　　美光指出，該公司的2600 SSD採用業界首款用於SSD的第九代QLCN AND，搭載美光創新的自適應寫入技術（AWT），在兼顧QLC經濟效益 的同時，實現卓越的PCIe Gen4效能。

　　與市面上其他主流QLC和TLC SSD相比，美光2600 SSD的循序寫入速 度提升63％，隨機寫入速度提升49％，為要求嚴苛的用戶端使用者， 提供同類產品最佳的使用者體驗。

　　美光企業副總裁暨手機和用戶端業務部門總經理Mark Montierth表 示，美光2600 QLC SSD具有比同類主流TLC硬碟更出色的效能。

　　美光的高效能G9 NAND和創新的自適應寫入技術，提供無與倫比的 組合，實現了以前只有TLC硬碟，才能達到的效能表現，並獲得美光 OEM客戶的驗證。

美光上季財報與本季展望出色，持續於高頻寬記憶體（HBM）市場攻城掠地，對後段封測委外需求激增，美光將旗下HBM2封裝大幅外包，由台廠力成（6239）獨家拿下相關大單。

美光持續投資HBM、產出續揚，推升後段封測外包訂單暴增，力成跟隨美光，將成為此波市況爆發的大贏家。

隨美光大舉釋出封測委外訂單，讓力成首度跨足HBM封裝市場，預計最快將於今年下半年試產並陸續產出，外界認為，力成後續相關業績成長動能可期。

供應鏈透露，美光為全力搶攻HBM3E及建置明年將步入市場主流的HBM4產能，預計將把中科先進封裝基地中的封裝產能移轉到這兩項產品，並開始將HBM2封裝大量委外。

目前美光已與力成敲定HBM2的封裝訂單委外協議，後者並為此添購設備，預計今年中左右逐步到位，下半年開始驗證生產，年底前將進入小量試產階段，明年相關產能可望大量開出。

法人看好，力成下半年有機會隨著美光HBM2封裝訂單及DDR5需求增加，推動業績逐步回溫。

美光上季DRAM相關業績創新高，其中HBM營收季增近五成。

美光指出，隨著高效能記憶體及儲存對於AI驅動的創新日益重要，這項新架構將增強美光與客戶更深入互動的能力，並將更多資源轉移到產品組合中以AI為重點的機會上。

美光提到，其12層HBM3E的良率與產量提升進展很順利，預期在下半年某個時間點時，其HBM市占率將達與整體DRAM市占率相當的水準。美光正向四家客戶大量出貨HBM，且其12層HBM3E 36GB 日前已被超微的Instinct MI355X GPU平台採用。

美國記憶體大廠美光（Micron）上季財報優於預期，本季營收展望也破紀錄，華爾街驚艷，尤其上季資料中心相關業績年增超過一倍，改寫新猷，且用於AI領域的高頻寬記憶體（HBM）業績季增近五成，看好下半年出貨續強，也為AI市況正向發展投下正面的一票。

美光股價26日早盤小漲1%左右。法人指出，美光財報與展望亮眼，主要受惠HBM出貨大好，台灣記憶體廠雖然尚未量產HBM，但隨著AI市況百花齊放，同步引動台廠鎖定的邊緣AI商機爆發，伴隨一線記憶體廠強攻HBM，無暇兼顧標準型記憶體產品，有助整體市況更趨於健康，南亞科（2408）、華邦電等台廠同步沾光。

據了解，華邦電在DDR4市場主攻中低容量的利基型市場，客群包含PC、網通、筆電及車用等領域，南亞科聚焦在PC、手機、伺服器等市場。

美光在美股25日盤後公布，本季（6-8月，會計年度第4季）營收預估約落在107億美元加減3億美元，創新高，相當於年增38％，高於分析師平均預期的98.9億美元；毛利率將提升到42％加減1個百分點；稀釋後每股盈餘預期約2.5美元加減0.15美元，也優於分析師預期的2.03美元。

美光上季財報也讓華爾街驚艷，單季營收季增15％、年增37％至93億美元，優於分析師所估的88.5億美元；毛利率為39％，稀釋後每股盈餘1.91美元，也優於分析師預估的平均值1.6美元，主要受惠於資料中心業務營收較去年同期成長超過一倍。

美光上季現金流大幅改善、達46.1億美元，較前一季39.4億美元和去年同期24.8億美元顯著提升。

美光表示，達到空前盛況的DRAM晶片業務，是推升上季營運的主力，HBM營收較前一季大幅成長近50%。該公司預期，這個會計年度伺服器相關產品出貨量將年增中個位數百分比，主要是得益於AI伺服器的顯著成長。

美光執行長梅羅塔強調，美光正進行「有紀律的投資」，以滿足AI驅動的需求。美光上季資本支出達到26.6億美元，反映公司為滿足AI需求而進行的大規模產能擴張。

美光預期，該公司本會計年度下半年在全球HBM市場份額與其在DRAM市場的整體份額相當，即達到二成以上。

美光正向四家客戶大量出貨HBM，其中包括GPU平台與ASIC平台。美光業務長薩達納指出，上季關稅引發的客戶拉貨力道相當溫和，因此「這不是會讓我們失眠的事」，他並看好今年下半年的需求。

美光表示，其2025會計年度的資本支出預計將為140億美元，絕大部分將用來支持HBM，包括相關設備、建設，後段製造與研發投資等。